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人们把等离子体、离子束引入到传统的物理气相沉积技术的蒸发和溅射中，参与其镀膜过程，同时通入反应气体，也可以在固体表面进行化学反应，生成新的合成产物固体相薄膜，称其为反应镀。

在溅射钛(Ti)等离子体中通入反应气体N2后合成TiN就是一例。

这就是说物理气相沉积也可以包含有化学反应。又如，在反应室内通入，借助于w靶阴极电弧放电，在Ar，W等离子体作用下使分解，并在固体表面实现碳键重组，生成掺W的类金刚石碳减摩膜，人们习惯上把这种沉积过程仍归入化学气相沉积，但这是在典型的物理气相沉积技术——金属阴极电弧离子镀中实现的。

由于粒子间的碰撞，产生剧烈的气体电离，使反应气体受到活化。同时发生阴极溅射效应，为沉积薄膜提供了清洁的活性高的表面。因而整个沉积过程与仅有热的过程有明显不同。这两方面的作用，在进步涂层结协力，降低沉积温度，加快反应速度诸方面都创造了有利条件。

等离子体化学气相沉积技术按等离子体能量源方式划分，有直流辉光放电、射频放电和微波等离子体放电等。随着频率的增加，等离子体强化CVD过程的作用越明显，形成化合物的温度越低。

在过去的几十年中，考虑到计算机数控（CNC）加工工艺的强劲发展，PVD沉积技术的发展基本上集中在工具的涂层上，因为已经出现了新的加工方法。

PVD技术是一种薄膜沉积工艺，其中涂层在原子上逐个原子生长。PVD需要从通常称为目标的固体源中雾化或汽化材料。薄膜通常具有与几个微米的薄膜一样薄的厚度，该厚度与某些原子层一样薄。该过程导致表面和基板与沉积材料之间的过渡区的特性改变。另一方面，膜的性质也可受基材的性质影响。

对于需要更高的表面形态质量的应用（对于粗糙度，晶粒尺寸，化学计量和其他要求比沉积速率更重要的应用），溅射工艺似乎是一种替代方法。由于在冷却过程中随着温度或基材（聚合物）熔化温度的降低而产生的应力，沉积过程对某些应用提出了温度限制。这导致溅射工艺在PVD沉积技术中变得更加重要，同时又不会忘记基于溅射工艺的新技术的出现，以满足不断增长的市场需求。