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以下是制备的必要条件：

①  在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室；

② 反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的；

③ 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。

CVD技术是作为涂层的手段而开发的，但不只应用于耐热物质的涂·层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域，其工艺成本具体而定。

物理气相沉积（PVD）工艺已经有100多年的历史了，等离子辅助PVD大约在80年前就申请了***。术语“物理气相沉积”仅在60年代出现。当时，需要通过发展众所周知的技术来发展真空镀膜工艺，例如溅射，真空，等离子体技术，磁场，气体化学，热蒸发，弓形和电源控制，如Powell的书中详细描述的。在过去的30年中，等离子辅助PVD（***VD）被分为几种不同的电源技术，例如直流（DC）二极管，三极管，射频（RF），脉冲等离子体，离子束辅助涂层等。，该过程在基本理解上存在一些困难，因此引入了必要的更改以提供好处，例如从涂层到基材的出色附着力，结构控制以及低温下的材料沉积。

原子沉积过程可以在真空，气态，等离子体或电解环境中进行。而且，沉积室中的真空环境会将沉积过程中的气态污染降低到非常低的水平。

过去的几十年展示了PVD技术的发展，旨在改善涂层特性和沉积速率，而无需保留初始表面清洁以去除可能的污染物。该技术已经得到了相关的改进，主要是在碳化物和纳米复合过渡金属氮化物衬底上。尽管这种方法的沉积速率有效性的提高一直是与这种技术有关的工业关注的重点，但研究仍集中在改善涂层的特性上。

有时将此方法用作预涂层，目的是提高基材的耐久性，减少摩擦并改善热性能-这意味着人们可以在同一涂层中结合PVD和CVD层等沉积方法。

在数学建模和数值模拟方面也有大量研究有助于改善此过程，这可能是优于其他过程的优势。这些研究对改善反应堆的特性有很大的影响，从而导致未来的成本降低，以及对薄膜机械性能的改善。

由于磁控溅射技术的发展将集中在未来对这些特定反应器的改进上，因此这项工作已成为主要重点。