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（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

直流等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）

DC-PCVD是利用高压直流负偏压（-1～-5kV），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。

直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，破坏正常的反应。

对于需要更高的表面形态质量的应用（对于粗糙度，晶粒尺寸，化学计量和其他要求比沉积速率更重要的应用），溅射工艺似乎是一种替代方法。由于在冷却过程中随着温度或基材（聚合物）熔化温度的降低而产生的应力，沉积过程对某些应用提出了温度限制。这导致溅射工艺在PVD沉积技术中变得更加重要，同时又不会忘记基于溅射工艺的新技术的出现，以满足不断增长的市场需求。