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发布时间:2020-09-15 07:59:00 作者:拉奇纳米镀膜
金属箔(尤其是铜箔)上的化学气相沉积(CVD)是目前制备大面积高质量石墨烯薄膜具发展前景的方法生长在铜箔上的石墨烯薄膜中为什么会出现“adlayers”,发现薄膜中的碳杂质直接导致adlayers的成核和生长。通过使用飞行时间二次离子质谱和燃烧分析,发现商业铜箔有‘过量的碳’,尤其是在表面附近,深度约为300纳米。
关于PVD工艺,常见的气态表面涂覆方法是蒸发和溅射。这些技术允许在非常低的压力下从目标中提取颗粒,然后将其沉积并沉积到基板上。
蒸发过程中使用的反应器需要高真空压力值。通常,这些特征和参数具有较低的原子能和较少的气体吸附到涂层沉积物中。结果,与溅射技术相比,具有较大晶粒的颗粒的转移导致公认的较小的颗粒对基底的粘附性。在沉积过程中,一些污染物颗粒从熔化的涂料中释放出来并移动到基材上,从而降低了所得涂层的纯度。因此,尽管与溅射工艺相比,该技术具有更高的沉积速率,但是蒸发工艺通常用于具有较低表面形态要求的较厚的薄膜和涂层。
有时将此方法用作预涂层,目的是提高基材的耐久性,减少摩擦并改善热性能-这意味着人们可以在同一涂层中结合PVD和CVD层等沉积方法。
在数学建模和数值模拟方面也有大量研究有助于改善此过程,这可能是优于其他过程的优势。这些研究对改善反应堆的特性有很大的影响,从而导致未来的成本降低,以及对薄膜机械性能的改善。
由于磁控溅射技术的发展将集中在未来对这些特定反应器的改进上,因此这项工作已成为主要重点。
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