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发布时间:2020-08-10 04:42:00 作者:拉奇纳米镀膜
在真空度较高的环境下,通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料以原子、分子或离子的形式逸出沉积物粒子,并且逸出的粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。.PVD大家族里主要有三位成员:真空蒸发沉积技术(蒸镀);溅射沉积技术;离化PVD技术。
蒸镀是在真空环境下,以各种加热方式赋予待蒸发源材料以热量,使源材料物质获得所需的蒸汽压而实现蒸发,所发射的气相蒸发物质在具有适当温度的基片上不断沉积而形成薄膜的沉积技术。
总之,化学气相沉积就是,利用气态物质在固体表面上进行化学反应,生成固态沉积物的过程。其过程如下:
(1)反应气体向工件表面扩散并吸附。
(2)吸附于工件表面的各种物质发生表面化学反应。
(3)生成物质点聚集成晶核并长大。
(4)表面化学反应中产生的气体产物脱离工件表面返回气相。
(5)沉积层与基体的界面发生元素的相互扩散,而形成镀层。
CVD法是,将工件置于有氢气保护的炉内,加热到800℃以上高温,向炉内通入反应气体,使之在炉内热解,化合成新的化合物沉积在工件表面。在模具的应用中,其覆膜厚度一般为6-10μm。
工艺特点
(1)广泛应用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料等。
(2)在产量方面,从单件到大批量皆可。
(3)有质量优势,沉积温度低,薄膜成份易控,膜厚与淀积时间成正比,均匀性,重复性好,台阶覆盖性优良。
(4)工具涂层的生产效率不如PVD,具体取决于特定技术要求和辅助工艺。
4、适用材料
化学气相沉积曾是真空技术广泛用于陶瓷沉积的一种技术,特别是对工具涂层更是这样。
20世界80年代早期随着等离子体辅助PVD工艺的显露,CVD在工具方面的应用衰落了。但由于这种工艺具有非常好的渗入特性,其在CVI、ALE等领域的工艺中有着很好的应用前景,主要用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料。
玻璃镀膜设备
PCVD工艺具有广泛的用途。
(1)超硬膜的应用(TiN、TiC、TiCN、(TiAl)N、C-BN等)PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜,沉积速率可达4~10μm/h,硬度大于2000HV,绕镀性好,工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。
(2)半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2,现在用SiN4+H2用PCVD法来形成Si3N4,Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性,比SiO2强,从电性能及其掺杂效率来讲都是的,特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成,高温处理是不可能的,只能在低温下用等离子法进行沉积。
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