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同时，人们把另一类气相沉积，即通过高温加热金属或金属化合物蒸发成气相，或者通过电子、等离子体、光子等荷能粒子的能量把金属或化合物靶溅射出相应的原子、离子、分子(气态)，在固体表面上沉积成固相膜，其中不涉及到物质的化学反应(分解或化合)，称为物理气相沉积PVD)。

随着气相沉积技术的发展和应用，上述两类型气相沉积各自都有新的技术内容，两者相互交叉，你中有我，我中有你，致使难以严格分清是化学的还是物理的。

总之，化学气相沉积就是，利用气态物质在固体表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。其过程如下：

（1）反应气体向工件表面扩散并吸附。

（2）吸附于工件表面的各种物质发生表面化学反应。

（3）生成物质点聚集成晶核并长大。

（4）表面化学反应中产生的气体产物脱离工件表面返回气相。

（5）沉积层与基体的界面发生元素的相互扩散，而形成镀层。

CVD法是，将工件置于有氢气保护的炉内，加热到800℃以上高温，向炉内通入反应气体，使之在炉内热解，化合成新的化合物沉积在工件表面。在模具的应用中，其覆膜厚度一般为6-10μm。

PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送进沉积室，在一定温度和等离子体等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。所以，PCVD工艺既包括等离子体物理过程，又包括等离子体化学反应过程。