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CVD法具有如下特点：可在大气或低于大气压下进行沉积金属、合金、陶瓷和化合物涂层，能在形状复杂的基体上或颗粒材料上沉积涂层。涂层的化学成分和结构较易准确控制，也可制备具有成分梯度的涂层。

涂层与基体的结合力高，设备简单操作方便，但它的处理温度一般为900-1200℃，工件被加热到如此高的温度会产生以下问题：

（1）工件易变形，心部组织恶化，性能下降。

（2）有脱碳现象，晶粒长大，残留奥氏体增多。

（3）形成ε相和复合碳化物。

（4）处理后的母材必须进行淬火和回火。

（5）不适用于低熔点的金属材料。

常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

CVD的进一步发展是化学气相浸渍（CVI） ，或称化学气相注入，在这种工艺中由多孔材料制成的物件被注入某种元素以强化基材性能。

等离子辅助CVD（PACVD），也称为等离子活化CVD，等离子援助CVD，等离子增强CVD。

物理气相沉积（PVD）是一项众所周知的技术，广泛应用于薄膜沉积，涉及许多方面，包括摩擦学性能改善，光学增强，视觉/美学提升以及许多其他领域，涉及范围广泛。已经建立的应用程序。加工工具可能是该沉积技术的常见应用之一，有时与化学气相沉积（CVD）结合使用，以延长其使用寿命，减少摩擦并改善热性能。然而，CVD工艺在较高的温度下进行，从而在涂层和基材中产生较高的应力，基本上仅在需要使用该工艺沉积所需的涂层时才使用。为了改进此技术，已进行了多项研究，以优化PVD技术，方法是增加等离子体电离，减少暗区（反应器中没有沉积物的区域），改善靶材的使用，提高原子轰击效率，甚至提高沉积速率并优化气体选择。