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涂敷过程在真空下进行，好称它为蒸汽沉积聚合（VDP），作为一种涂敷技术，VDP提供了可靠的***性,明显要由于刷涂，浸涂，喷涂等其它涂敷技术。它的***性主要来源于它是由气相单体直接形成固体涂层而没有一个液态的中间过渡阶段。因此在传统方法中由于表面张力而引起的从棱刃处流淌到低的沟槽里积料的现象它不会发生。Parylene涂层是从基材的表面向外"生长"，形成一个均匀厚度的敷形涂层，好多试验证明这种涂敷处理涂层厚度在1微米以下时也是无的。

ParyleneC 在芳烃上一个氢被氯原子取代，具有非常低的水分子和腐蚀性气体的透过率，沉积生长速率也比N型快得多，是目前应用广、防护效果好的粉材。ParyleneD 在芳烃上二个氢被二个氯原子取代，具有阻燃性。在更高温度下具有相对更好的物理及电性能，同时与N、和C型相比，具有更好的热稳定性。

ParyleneHT是苯环上的4个氢原子被氟取代，与C,N,D比较，其薄膜的介电强度高、介电常数低(即透波性能好)，热稳定性好。薄膜本身连续、致密、无,短期耐温可达450摄氏度，长期耐温可达350摄氏度,并具有强的抗紫外线能力，更适合作为高频微波器件的防护材料。

在室温环境下，Parylene可以抵抗化学物质的侵袭，并且在150℃下不溶于所有的。ParyleneC在175℃时可以消融与氯中，而ParyleneN在溶剂的熔点（265℃）时可溶。两种高聚物都可以抵抗大多数溶剂的侵袭。同时，它们也不受像Hostepal, Igepal 和柠檬油这类的应力裂解溶剂的影响。

Parylene在可见光的范围内吸取得很少，因此是透明无色的。无色透明的薄膜可用于光学器件、可擦性光电储存器件和静电复印器件。在低于280微米时,ParyleneN和ParyleneC的吸取都很强。所有的Paryleng在至少60微米的波长下都相对没有特征（除了一些峰值特征以外）。图5，6和7透露表现1个mil薄膜的红外光谱。