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磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同，导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。

离子束DLC：碳氢气体在离子源中被离化成等离子体，在电磁场的共同作用下，离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上，沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压，因而离子能量更大，使得薄膜与基片结合力很好；离子电流更大，使得DLC膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构，工艺控制精度可达几个埃，并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至。

金属钯及其合金具有很强的氢气吸附能力和特殊的选择渗透能力, 是理想的氢气储存和净化材料 。目前, 通常使用整体钯合金或镀钯等方法制造氢净化设备。近年来 ,有研究者尝试采用化学气相沉积法制备钯的薄膜或薄层材料 , 他们选用分解温度很低的金属有机化合物作为沉积钯的源物质, 他们是:烯丙基[β-酮] Pd(Ⅱ)、Pd(η3 -C 3 H 5 )(η 5-C 5 H 5 )和 Pd(η3-C 3 H 5 )(CF 3 COCHCOCF 3 )等。采用化学气相沉积法可以制备高纯度的钯薄膜 。

在过去的几十年中，考虑到计算机数控（CNC）加工工艺的强劲发展，PVD沉积技术的发展基本上集中在工具的涂层上，因为已经出现了新的加工方法。

PVD技术是一种薄膜沉积工艺，其中涂层在原子上逐个原子生长。PVD需要从通常称为目标的固体源中雾化或汽化材料。薄膜通常具有与几个微米的薄膜一样薄的厚度，该厚度与某些原子层一样薄。该过程导致表面和基板与沉积材料之间的过渡区的特性改变。另一方面，膜的性质也可受基材的性质影响。

关于溅射工艺，在使用磁控溅射工艺的同时施加几种材料的精细层。该真空镀膜工艺的原材料采用靶材的形式。在溅射过程中，将磁控管放置在靶材附近。然后，在真空室中引入惰性气体，该惰性气体通过沿磁控管的方向在靶和基板之间施加高电压而加速，从而从靶中释放出原子尺寸的颗粒。这些粒子是由于气体离子传递的动能而投射出来的，这些离子已经到达目标并到达基板并形成固体薄膜。该技术可以将表面上先前存在的污染物从表面上清除掉，这是通过反转基材和目标之间的电压极性