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化学气相沉积工艺是这样一种沉积工艺，被沉积物体和沉积元素（单元或多元）蒸发化合物置于反应室，当高温气流进入反应室时，可控制的反应室可使其发生一种合适的化学反应，导致被沉积物体的表面形成一种膜层，同时将反应产物及多余物从反应室蒸发排除。

镀膜机工艺在防伪技能中的运用防伪膜品种许多，从运用办法可分为反射式和透射式；从膜系附着办法能够分为直接镀膜式、直接镀膜式或直接镀膜剪贴式。

化学气相沉积TiN

将经清洗、脱脂和氨气还原处理后的模具工件，置于充满H2（体积分数为99.99%）的反应器中，加热到900-1100℃，通入N2（体积分数为99.99%）的同时，并带入气态TiCl4（质量分数不低于99.0%）到反应器中，则在工件表面上发生如下化学反应：

2TiCl4（气）+N2（气）+4H2（气）→2TiN（固）+8HCl（气）

固态TiN沉积在模具表面上形成TiN涂层，厚度可达3-10μm，副产品HCl气体则被吸收器排出。工艺参数的控制如下：

（1）氮氢比对TiN的影响

一般情况下，氮氢体积比VN2/VH2<1/2时，随着N2的增加，TiN沉积速率增大，涂层显微硬度增大；当VN2/VH2≈1/2时，沉积速率和硬度达到值；当VN2/VH2>1/2时，沉积速率和硬度逐渐下降。当VN2/VH2≈1/2时，所形成的TiN涂层均匀致密，晶粒细小，硬度，涂层成分接近于化学当量的TiN，而且与基体的结合牢固。因此，VN2/VH2要控制在1/2左右。

微波等离子体化学气相沉积（MW-PCVD）

微波等离子体的特点是能量大，活性强。激发的亚稳态原子多，化学反应轻易进行，是一种很有发展前途、用途广泛的新工艺，微波频率为2.45GHz，

微波放电与直流辉光放电相比具有设备结构简单，轻易起辉，耦合，工作稳定，无气体污染及电极腐蚀，工作频带宽等优点，装置主要由微波发生器、环形器、定向耦合器、表面波导放电部分及沉积室组成。

溅射是物理气相沉积技术的另一种方式，有人要问了溅射工艺是怎么实现的呢？

溅射的过程是由离子轰击靶材表面，使靶材材料被轰击出来的技术。整个过程是在真空腔体中完成的。溅射开始时将气充入真空腔体中形成低压气氛围，再通过使用高电压，产生辉光放电，加速离子到靶材表面。离子将靶材材料从表面轰击（溅射）出来，在靶材前面的被涂层工件上沉积下来，这整个过程就好像是在打台球。