五金纳米镀膜设备***「多图」

若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体为高速钢，可选择560℃，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，无需担心基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂层，一般只需要几十分钟。

在今天，讨论化学气相沉积与物理气相沉积的不同点，恐怕只剩下用于镀膜物料形态的区别，前者是利用易挥发性化合物或气态物质，而后者则利用固相(或液相)物质。这种区分似乎已失去原来定义的内涵实质。

我们仍然按照已有的习惯，主要以上述镀料形态的区别来区分化学气相沉积和物理气相沉积，把固态(液态)镀料通过高温蒸发、溅射、电子束、等离子体、离子束、激光束、电弧等能量形式产生气相原子、分子、离子(气态，等离子态)进行输运，在固态表面上沉积凝聚(包括与其他反应气相物质进行化学反应生成反应产物)，生成固相薄膜的过程称为物理气相沉积。

（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

“辅助”CVD的工艺较多，主要有：

① 电子辅助CVD（EACVD）（也称为电子束辅助CVD，电子增强CVD，或电子束诱导CVD），涂层的形成在电子作用下得到改进。

② 激光辅助CVD（LACVD)，也称为激光CVD或光子辅助CVD，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。

③ 热丝CVD，也称为热CVD，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。

④ 金属有机化合物CVD（MOCVD），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。

五金纳米镀膜设备

PCVD工艺具有广泛的用途。

（1）超硬膜的应用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜，沉积速率可达4～10μm/h，硬度大于2000HV，绕镀性好，工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。

（2）半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2，现在用SiN4+H2用PCVD法来形成Si3N4，Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性，比SiO2强，从电性能及其掺杂效率来讲都是的，特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成，高温处理是不可能的，只能在低温下用等离子法进行沉积。