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化学气相沉积（Chemical Vapor Deition,简称CVD），也即化学气相镀或热化学镀或热解镀或燃气镀，属于一种薄膜技术。常见的化学气相沉积工艺包括常压化学气相沉积（NPCVD），低压化学气相沉积（LPCVD），大气压下化学气相沉积（APCVD）。

镀膜机工艺在平板显现器中的运用一切各类平板显现器都要用到各品种型的薄膜，并且简直一切类型的平板显现器材都需求运用ITO膜，以满意通明电器的请求。能够毫不夸张的说：没有薄膜技能就没有平板显现器材。

（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

离子镀，是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质离子化，在气体离子或蒸发物质离子轰击作用下，把蒸发物质或其反应物蒸镀在工件上。离子镀把辉光放电、等离子技术与真空蒸镀技术结合在一起，不仅明显地提高了镀层的各种性能，而且，大大扩充了镀膜技术的应用范围。

离子镀除兼有真空溅射的优点外，还具有膜层的附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等优点。例如，利用离子镀技术可以在金属、塑料、陶瓷、玻璃、纸张等非金属材料上，涂覆具有不同性能的单一镀层、合金镀层、化合物镀层及各种复合镀层，而且沉积速度快（可达755m/min），镀前清洗工序简单，对环境无污染，因此，近年来在国内外得到了迅速的发展。

在真空度较高的环境下，通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料以原子、分子或离子的形式逸出沉积物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。.PVD大家族里主要有三位成员：真空蒸发沉积技术（蒸镀）；溅射沉积技术；离化PVD技术。

蒸镀是在真空环境下，以各种加热方式赋予待蒸发源材料以热量，使源材料物质获得所需的蒸汽压而实现蒸发，所发射的气相蒸发物质在具有适当温度的基片上不断沉积而形成薄膜的沉积技术。