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PCVD工艺参数包括微观参数和宏观参数。微观参数如电子能量、等离子体密度及分布函数、反应气体的离解度等。宏观参数对于真空系统有，气体种类、配比、流量、压强、抽速等；对于基体来说有，沉积温度、相对位置、导电状态等；对于等离子体有，放电种类、频率、电极结构、输进功率、电流密度、离子温度等。以上这些参数都是相互联系、相互影响的。

一个真正的单层，即大面积石墨烯薄膜覆盖在大面积铜箔上。改进了化学气相沉积(CVD)生长方法，消除了石墨烯生长在铜箔上的所有碳杂质。这种均匀“”的单层单晶石墨烯有望被用作超高分辨率透射电镜成像和光学设备的超薄支撑材料。也可作为一种合适的石墨烯，以实现非常均匀的功能化，这将促使推动许多其他应用，特别是用于各种类型的传感器。

溅射（或阴极喷涂）和蒸发是用于薄膜沉积的常用的PVD方法。

在PVD技术中，释放或碰撞的热物理过程将要沉积的材料（目标）转化为原子粒子，然后在真空环境中在气态等离子体条件下将原子粒子定向到基材，通过冷凝或化学反应生成物理涂层。投射原子的积累。该技术的结果是，要沉积的材料类型具有更高的灵活性，并且可以更好地控制沉积膜的成分。连接到高压电源和真空室的两个电极构成了PVD反应器。

当考虑电子束蒸发技术时，该方法涉及纯粹的物理过程，其中目标充当包含待沉积材料的蒸发源，该材料用作阴极。请注意，系统会根据电子束功率蒸发任何材料。通过在高真空下轰击电子，在高蒸气压下加热材料，并释放出颗粒。然后，在原子尺寸释放的粒子和气体分子之间发生冲突，该粒子插入反应器中，旨在通过产生等离子体来加速粒子。该等离子体穿过沉积室，在反应器的中间位置更强。连续压缩层被沉积，从而增加了沉积膜对基底的粘附力