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真空镀膜机工艺在光学仪器中的运用大家了解的光学仪器有望远镜、显微镜、照相机、测距仪，以及平时生活用品中的镜子、眼镜、放大镜等，它们都离不开镀膜技能，镀制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等几种。

镀膜机工艺在集成电路制造中的运用，镀膜机晶体管路中的保护层（SiO2、Si3N4）、电极管线（多晶硅、铜及其合金）等多是选用CVD技能、PVCD技能、真空蒸腾金属技能、磁控溅射技能和射频溅射技能。可见气相堆积术制备集成电路的***技能之一。

蒸镀中关键的两个参数是真空度（≤10-3Pa）和相对蒸发源的基片距离（10~50cm）。蒸镀过程中，膜层粒子与真空室中的气体的碰撞是应该避免的，因此，相对蒸发源的基片距离应大于工作状态下真空室内气体分子的平均自由程。

溅射镀膜过程为：气体放电→等离子体→带电离子→电场作用→离子加速→高能离子→撞击靶材→溅射→发射靶材原子→飞向基板→形成沉积→获得薄膜。

化学气相沉积TiN

将经清洗、脱脂和氨气还原处理后的模具工件，置于充满H2（体积分数为99.99%）的反应器中，加热到900-1100℃，通入N2（体积分数为99.99%）的同时，并带入气态TiCl4（质量分数不低于99.0%）到反应器中，则在工件表面上发生如下化学反应：

2TiCl4（气）+N2（气）+4H2（气）→2TiN（固）+8HCl（气）

固态TiN沉积在模具表面上形成TiN涂层，厚度可达3-10μm，副产品HCl气体则被吸收器排出。工艺参数的控制如下：

（1）氮氢比对TiN的影响

一般情况下，氮氢体积比VN2/VH2<1/2时，随着N2的增加，TiN沉积速率增大，涂层显微硬度增大；当VN2/VH2≈1/2时，沉积速率和硬度达到值；当VN2/VH2>1/2时，沉积速率和硬度逐渐下降。当VN2/VH2≈1/2时，所形成的TiN涂层均匀致密，晶粒细小，硬度，涂层成分接近于化学当量的TiN，而且与基体的结合牢固。因此，VN2/VH2要控制在1/2左右。